Structura unei singure plăci de siliciu cristalin

Când siliciul elementar topit se solidifică, atomii de siliciu sunt aranjați într-o ordine tridimensională pe distanță lungă într-o rețea de diamant pentru a deveni siliciu monocristal. Siliciul monocristal are proprietățile fizice ale metaloidului și are o conductivitate slabă. Conductivitatea sa crește odată cu creșterea temperaturii și are o semiconductivitate semnificativă. Siliciul monocristal ultrapur este un semiconductor intrinsec. Dopajul unei cantități mici de elemente din grupa IIIA, cum ar fi borul, în siliciu monocristal ultra-pur poate crește conductivitatea electrică a acestuia și poate forma un semiconductor de siliciu de tip p; dacă dopând o cantitate mică de elemente din grupa VA, cum ar fi fosforul sau arsenul, poate crește și conductibilitatea electrică. Se formează un semiconductor de siliciu de tip n. Metoda de fabricare a siliciului monocristalin este de obicei de a face mai întâi siliciu policristalin sau siliciu amorf, apoi utilizați metoda Czochralski sau metoda de topire a zonei de suspensie pentru a crește siliciul monocristalin în formă de tijă din topitură. Siliciul monocristalin este utilizat în principal pentru a face componente semiconductoare. Siliciul siliciul cristalin este albastru închis, foarte fragil și este un semiconductor tipic. Proprietățile chimice sunt foarte stabile. La temperatura camerei, este dificil să reacționeze cu alte substanțe, cu excepția fluorurii de hidrogen.