Ieri, un student de la Knowledge Planet a întrebat care sunt parametrii de suprafață a plachetei de siliciu Bow, Warp, TTV etc. și cum să îi distingem. Cred că această întrebare este destul de reprezentativă, așa că am scris un articol special pentru a o explica.
Parametrii suprafeței plachetei Bow, Warp și TTV sunt factori foarte importanți care trebuie luați în considerare în fabricarea cipurilor. Acești trei parametri împreună reflectă planeitatea și uniformitatea grosimii plachetei de siliciu și au un impact direct asupra multor pași cheie în procesul de fabricare a cipului.
Ce sunt TTV, Bow, Warp?
TTV (variația totală a grosimii)
TTV este diferența dintre grosimea maximă și minimă a unei plăci de siliciu. Acest parametru este un indicator important utilizat pentru a măsura uniformitatea grosimii plachetei de siliciu. În fabricarea semiconductorilor, grosimea unei plachete de siliciu trebuie să fie foarte uniformă pe întreaga suprafață. De obicei, este măsurată în cinci locații de pe placa de siliciu și se calculează diferența maximă. În cele din urmă, această valoare este baza pentru evaluarea calității plachetei de siliciu. În aplicațiile practice, TTV-ul unei plăci de siliciu de 4-inchi este în general mai mic de 2um, iar cel al unei plăci de siliciu de 6-inchi este în general mai mic de 3um.
Arc
Arcul se referă la curbura unei plăci de siliciu în fabricarea semiconductoarelor. Cuvântul poate proveni din descrierea formei unui obiect atunci când este îndoit, la fel ca forma curbată a unui arc. Valoarea lui Bow este definită prin măsurarea abaterii maxime dintre centrul și marginea plachetei de siliciu. Această valoare este de obicei exprimată în microni (µm). Standardul SEMI pentru plachetele de siliciu de 4-inchi este Bow<40um.
Urzeală
Warp este o caracteristică globală a plachetelor de siliciu, indicând abaterea maximă a suprafeței plachetei de siliciu de la plan. Măsoară distanța dintre punctul cel mai înalt și cel mai jos al plachetei de siliciu. Standardul SEMI pentru plachetele de siliciu de 4-inchi este Warp < 40um.
Care sunt diferențele dintre TTV, Bow și Warp?
TTV se concentrează pe modificarea grosimii și nu îi pasă de arcul sau răsucirea napolitanei.
Arcul se concentrează pe arcul general, luând în considerare în principal arcul dintre punctul central și margine.
Urzeala este mai cuprinzătoare, incluzând arcul și răsucirea întregii suprafețe a napolitanei.
Deși acești trei parametri sunt toți legați de forma și caracteristicile geometrice ale plachetei de siliciu, ei măsoară și descriu diferite aspecte și au efecte diferite asupra proceselor semiconductoare și a manipulării plachetelor.
Impactul TTV, Bow și Warp asupra procesului de semiconductor
În primul rând, cu cât cei trei parametri sunt mai mici, cu atât mai bine. Cu cât TTV, Bow și Warp sunt mai mari, cu atât este mai mare impactul negativ asupra procesului semiconductor. Prin urmare, dacă valorile celor trei depășesc standardul, placa de siliciu va fi casată.
Impact asupra procesului de fotolitografie:
Problemă de adâncime a focalizării: în timpul procesului de fotolitografie, poate provoca modificări ale adâncimii de focalizare, afectând claritatea modelului.
Problemă de aliniere: poate determina deplasarea plachetei în timpul procesului de aliniere, afectând și mai mult precizia de aliniere între straturi.
Impact asupra lustruirii chimice mecanice:
Lustruire neuniformă: poate cauza lustruire neuniformă în timpul procesului CMP, rezultând rugozitatea suprafeței și stresul rezidual.
Impact asupra depunerii peliculei subțiri:
Depunere neuniformă: Napolitanele concave și convexe pot cauza grosimi neuniforme ale filmelor depuse în timpul depunerii.
Impact asupra încărcării plachetelor:
Probleme de încărcare: napolitanele concave și convexe pot cauza deteriorarea plăcilor în timpul încărcării automate
