Plachetele realizate din siliciu pe izolator (SOI) sunt produse folosind trei metode principale: transferul stratului epitaxial, SOI legat și siliciul pe izolator. Fiecare tehnică are anumite avantaje și beneficii proprii.
În primul rând, un strat de siliciu poate fi creat deasupra unui strat izolator, cum ar fi dioxid de siliciu, folosind tehnica siliciu pe izolator. Cu această metodă, stratul superior de siliciu și substratul de dedesubt sunt separate de un strat de oxid îngropat care este creat prin implantare ionică. Această metodă funcționează bine în special pentru producerea de napolitane cu o conductivitate termică remarcabilă și straturi omogene.
În al doilea rând, un strat subțire de siliciu premium este lipit pe un substrat izolator folosind procesul SOI lipit. Acest lucru se realizează prin atașarea unui strat subțire de siliciu pe un substrat după ce acesta a fost creat prin implantare ionică sau creștere epitaxială. Acest proces face posibilă crearea de circuite foarte integrate și este perfect pentru producerea de plachete cu grosimi specifice.
În cele din urmă, o altă metodă de producere a plachetelor SOI este transferul stratului epitaxial. Folosind tehnici de creștere epitaxială, în acest proces se formează un strat subțire de siliciu pe un substrat donor. Ulterior, acest strat este lipit pe un substrat izolator prin lustruire mecanică chimică și lipire a plachetelor. O napolitană SOI superioară cu caracteristici electrice excepționale este produsul final.