Pregătirea pentru lustruire
Înainte de a începe procesul propriu-zis de lustruire, există mai mulți pași pregătitori importanți:
Curatenie
Curățați bine suprafețele plachetelor pentru a îndepărta orice particule reziduale sau reziduuri chimice din procesele anterioare, cum ar fi leparea sau gravarea. Contaminarea poate duce la defecte de suprafață în timpul lustruirii. Vă recomandăm curățarea prin:
SC-1 curat- Hidroxid de amoniu fierbinte, peroxid de hidrogen și apă în raport de 1:1:5 la 75 de grade timp de 10 minute
SC-2 curat- Acid clorhidric fierbinte, peroxid de hidrogen și apă în raport de 1:1:6 la 75 de grade timp de 10 minute
Clătire rapidă de gunoi (QDR)- Mai multe băi de apă DI care debordează timp de 2-3 minute fiecare
Inspecţie
Inspectați cu atenție suprafețele plachetelor după curățare folosind modul câmp luminos pentru a verifica:
Particule reziduale sau pete
Gropi, zgârieturi sau daune subterane din procesele anterioare
Alte defecte fizice, cum ar fi așchii/crăpături
Rezolvați orice problemă în această etapă înainte de lustruire pentru a evita exacerbarea defectelor.
Aplicați stratul de suport
Aplicați un strat de suport adeziv pe partea din spate a plachetei pentru a oferi un suport uniform în timpul lustruirii și pentru a preveni deteriorarea spatelui:
Aplicați 1-2 straturi de adeziv întăribil UV
Asigurați-vă că este complet întărită înainte de lustruire
Tabelul 1. Straturi de suport recomandate
| Material | Duritate | Grosime | Timp de vindecare |
|---|---|---|---|
| PU | Țărm A 60 | 0,5 mm | 5 minute |
| Solgel | Malul D 20 | 0.2mm | 10 sec |
Echipament de lustruit
![]()
Capabilitati cheie:
Viteze variabile ale axului de până la 120 rpm
Forța aerodinamică/presiune programabilă de până la 8 psi
Monitorizare în timp real a cuplului
Dozare/alimentare automată a nămolului
Stații de curățare post-lustruire integrate
Etapele procesului de lustruire
Principalii pași de lustruire sunt descriși mai jos:
Pregătiți/Îmbracați tamponul de lustruit
Selectați materialul de tampon adecvat (vezi recomandările mai târziu)
Condiționați tampoanele noi prin impregnare cu diamant
Înainte de fiecare alergare, îmbrăcăminte cu disc de diamant pentru a reîmprospăta suprafața
Muntele Wafer
Fixați ferm napolitana pe mandrina/suportul pentru napolitană
Centrați napolitana în mod corespunzător pentru a asigura o lustruire uniformă
Setați parametrii de proces
Viteza axului -30-60 rpmtipic
presiunea -3-5 psitipic
Viteza de alimentare a nămolului -100-250 ml/min
Durata procesului - Depinde de îndepărtarea materialului necesară
Începeți ciclul de lustruire
Începeți rotirea axului
Distribuiți suspensie în mod continuu pe centrul tamponului
Coborâți mandrina pentru napolitană și cuplați tamponul la presiunea stabilită
Monitorizați cuplul pe tot parcursul procesului
Curățare post-lustruire
Curățarea temeinică după lustruire este esențială pentru îndepărtarea reziduurilor și reducerea la minimum a defectelor:
Curățare primară- Periați suprafețele plachetelor cu soluții pe bază de hidroxid de amoniu sau acetat
Curățare secundară- Scufundare scurtă în HF sau alte soluții acide pentru a îndepărta reziduurile chimice
QDR - Mai multe băi cu preaplin timp de 3-5 minute fiecare
Inspectați din nou napolitanele finite după curățare. Reprelucrați/lustruiți din nou toate zonele necesare înainte de a trece la următorii pași ai procesului.
Optimizarea procesului de lustruire a plachetelor de siliciu

Există mai mulți parametri cheie care pot fi reglați pentru a optimiza procesul de lustruire a plachetelor:
Forța de apăsare/presiune aplicată
Presiunea mai mare crește rata de lustruire/înlăturare a materialului
Prea multă presiune duce la rotunjirea marginilor, microfisuri
3-5 psi optim pentru majoritatea aplicațiilor
Viteza de rotație
Crește temperatura la interfața pad-wafer
Vitezele mai mari cresc rata de lustruire până la un punct
30-60 rpmpotrivit pentru majoritatea proceselor în loturi
Materiale tampon
Selectarea materialului tamponului are un impact asupra factorilor cheie, cum ar fi rata de lustruire, finisarea suprafeței și nivelul defectelor:
Tabelul 2. Comparații materiale pentru tampon
| Pad | Duritate | Rata de eliminare | finalizarea | Defecte | Cost |
|---|---|---|---|---|---|
| Poliuretan | Mediu | Mediu | Bun | Scăzut | Scăzut |
| Polimer/Spumă | Moale | Foarte inalt | Stare brută | Înalt | Înalt |
| nețesute | Mediu | Scăzut | Excelent | Foarte jos | Înalt |
Tampoanele mai moi taie mai repede, dar nu finisează la fel de netede
Tampoane dure lustruire mai lentă și lustruire mai mare
Procese în mai multe etape, ideale folosind un tampon final mai dur
Optimizarea nămolului
Echilibrarea conținutului de abraziv/chimie/pH/debit este critică
Adaptați formulările de suspensie la aplicare și materialul de tampon
Testați și îmbunătățiți continuu nămolurile noastre pentru rezultate optime
Analiza post-lustruire
Evaluarea și analiza calității napolitanelor post-lustruire este imperativă pentru a ne asigura că specificațiile sunt îndeplinite și pentru a identifica îmbunătățirile procesului. Analizele cheie includ:
Rugozitatea suprafeței
Măsurați datele Ra, RMS, PSD și HF
Monitorizați figura cu lungimea de undă lungă/planeitatea
Identificați zgârieturile, gropile, particulele, lustruirea suplimentară necesară
Grosimea filmului
Confirmați îndepărtarea straturilor de grosime necesare
Verificați uniformitatea grosimii pe suprafața plachetei
Niveluri de ceață
Măsurați procentul de ceață și distribuția
Asigurați daune minime reziduale ale suprafeței conform specificațiilor de aplicare
Inspecția defectelor
Utilizați câmp luminos, câmp întunecat etc. pentru a dezvălui defectele rămase
Comparați nivelurile/tipurile de defect pre și post lustruire
Date de feedback pentru a regla pad, suspensie, parametri
Instrumentele noastre integrate de metrologie oferă capabilități analitice complete pentru un control optim al procesului.
Finisaj de suprafață
Ra< 1 angstrom posibil
RMS< 2 angstroms specificație tipică
Minimizați microrugozitatea prin optimizarea procesului
Variația totală a grosimii (TTV)
TTV < 1 um în diametrul plachetei este ușor de atins
Fezabil TIR < 3 arc-sec peste optice mari
Uniformitatea grosimii subnanometrului a fost demonstrată
Densitatea defectelor
Zero nano-zgârieturi prin condiționarea plăcuțelor, optimizarea hranei
< 5 defects/cm^2 over large areas
Detectarea și minimizarea particulelor până la<0.1 um
Contactați echipa noastră de ingineri pentru a vă revizui cerințele tehnice și vom personaliza un proces cuprinzător de lustruire pentru a satisface chiar și cele mai stricte specificații.













