Plăcile de siliciu sunt purtătorii majorității jetoanelor. Cu toate acestea, o bucată de placă de siliciu ascunde multe detalii necunoscute, cum ar fi: Care sunt orientările de cristal ale napolitanelor de siliciu? Câte margini de poziționare există? Cum este poziționată marginea de poziționare? Care este diferența dintre marginea de poziționare și canelura de poziționare? Și așa mai departe. Să o explicăm în detaliu astăzi.
Care este marginea\/canelura de poziționare?
Groove de poziționare (Notch) este utilizat pentru poziționarea napolitanelor de siliciu peste 8 centimetri (inclusiv), iar marginea de poziționare (plat) este utilizată pentru poziționarea napolitanei de siliciu sub 8 centimetri.
Marginea de poziționare a plafonului de siliciu este o parte scurtă a plafonului de siliciu, iar canelura de poziționare este o crestătură semicirculară sau în formă de V pe margine.
Cum se fac canelurile\/marginile de poziționare?
După ce metoda CZ este utilizată pentru a scoate lingotul, cele două capete trebuie să fie tăiate, iar apoi coloana de siliciu este la sol radial pentru a obține un diametru adecvat, iar apoi o parte a coloanei de siliciu este la sol pentru a obține marginea de poziționare și, în sfârșit, coloana de siliciu este tăiată în placi de siliciu una cu unul cu un ferăstrău de sârmă sau o mașină de tăiat cerc intern.
Relația cu orientarea cristalului și doparea
În general, numai marginea de poziționare are funcția de a indica orientarea cristalului și tipul de dopaj. Orientarea cristalului și tipul de dopaj al plafonului de siliciu sunt determinate în funcție de poziția și numărul marginilor de poziționare. Canceaua de poziționare va fi în partea de jos a plafonului de siliciu, iar orientarea cristalului și tipul de dopaj nu pot fi văzute intuitiv prin canelura de poziționare. Orientările comune de cristal sunt<100>, <110>, <111>, iar tipurile de dopaj sunt de tip N și de tip p.
Numărul de margini de poziționare ale unei placi de siliciu este unul sau două. Tipul de placă de siliciu cu o singură margine de poziționare este p-tip<111>. Dacă placa de siliciu are două margini de poziționare, atunci marginea de poziționare mai lungă este marginea principală de poziționare, iar cea mai scurtă este marginea de poziționare secundară. Marginea principală de poziționare este în principal convenabilă pentru alinierea plafonului de siliciu în procesul semiconductorului, în timp ce marginea de poziționare secundară indică orientarea cristalului și tipul de dopaj. Marginea principală de poziționare se află în partea de jos a plafonului de siliciu, în timp ce poziția marginii de poziționare secundare nu este fixată și se schimbă odată cu schimbarea tipului de orientare a cristalului și a tipului de dopaj al plafonului.
În general, lungimea marginii de poziționare principală a unui wafer 2- inch este de 15,8 mm, lungimea marginii de poziționare principală a unei wafer -uri 4- inch este de 32,5 mm, iar lungimea marginii de poziționare principală a a 6- inch este de 57,5 mm.
Când unghiul dintre marginea principală de poziționare și marginea de poziționare secundară este de 45 de grade, tipul de placă de siliciu este N-Type<111>; Când unghiul dintre marginea principală de poziționare și marginea de poziționare secundară este de 90 de grade, tipul de placă de siliciu este de tip p<100>; Când unghiul dintre marginea principală de poziționare și marginea de poziționare secundară este de 180 de grade, tipul de placă de siliciu este N-Type<100>. De când<110>Orientarea cristalului nu este o orientare a cristalelor de siliciu mainstream, nu există niciun standard care să o reprezinte.<110>Orientarea cristalului poate fi reprezentată conform standardelor furnizorului de siliciu.
Influența orientării cristalului asupra tehnologiei semiconductorilor
Pe (100) plan de cristal, aranjamentul atomilor de siliciu este tetragonal, în timp ce pe planul de cristal (111), aranjarea atomilor de siliciu este hexagonală. Deoarece atomii de siliciu de pe (111) plan de cristal sunt mai compacti, reactivitatea lor chimică este relativ scăzută, în timp ce (100) planul de cristal este opus și are o reactivitate chimică mai mare.
Prin urmare, siliconul de pe (100) planul de cristal se gravură mai repede decât siliciul pe planul de cristal (111), iar rata de oxidare a planului de cristal (111) este de obicei mai mică decât cea a (100) plan de cristal.
Influența concentrației de dopaj a plafonilor de siliciu asupra proceselor semiconductoare
În timpul procesului de gravare, dopanții cresc conductivitatea siliciului, ceea ce o face mai sensibilă la gravura electrochimică. Concentrații de dopaj diferite vor duce la rate diferite de gravură, iar siliciul foarte dopat se va graviza de obicei mai repede.
În timpul procesului de difuzie, concentrația de dopaj a plafonului de siliciu va afecta, de asemenea, rata de difuzie a dopantului în siliciu. Siliconul foarte dopat va face ca dopantul să difuzeze mai adânc.
