Tehnologia de procesare a plachetelor de siliciu monocristalin

Hrănire → Topire → Creșterea gâtului → Creșterea umerilor → Creșterea izometrică → Creșterea cozii
(1) Hrănire: Puneți materia primă din polisiliciu și impuritățile în creuzetul de cuarț. Tipul de impurități depinde de tipul N sau P al rezistenței. Tipurile de impurități sunt bor, fosfor, antimoniu și arsen.
(2) Topire: După adăugarea materiilor prime din polisiliciu în creuzetul de cuarț, cuptorul de creștere a cristalelor trebuie închis și evacuat, apoi umplut cu argon de înaltă puritate pentru a menține un anumit interval de presiune și apoi porniți puterea încălzitorului de grafit la se încălzește la temperatura de topire (1420 de grade), materia primă din polisiliciu este topită.
(3) Creșterea gâtului: când temperatura topiturii de siliciu este stabilă, scufundați încet cristalul de semințe în topitura de siliciu. Datorită stresului termic atunci când cristalul de sămânță este în contact cu câmpul de topitură de siliciu, în cristalul de sămânță vor fi generate dislocații, iar aceste dislocații trebuie eliminate prin creșterea gâtului. Creșterea gâtului este de a ridica rapid cristalul de sămânță în sus, astfel încât diametrul cristalului de sămânță crescut să fie redus la o anumită dimensiune (4-6mm). Deoarece linia de dislocare formează un unghi cu axa de creștere, atâta timp cât gâtul este suficient de lung, dislocarea poate crește din suprafața cristalului, producând un cristal cu zero dislocații.
(4) Creșterea umerilor: După creșterea gâtului subțire, temperatura și viteza de tragere trebuie reduse, astfel încât diametrul cristalului să crească treptat până la dimensiunea necesară.
(5) Creștere cu diametru egal: După creșterea gâtului și umerilor subțiri, diametrul lingoului poate fi menținut între plus sau minus 2 mm prin ajustarea continuă a vitezei de tragere și a temperaturii. Piesa cu diametru fix se numește piesa izodiametru. Plachetele de siliciu monocristalin sunt luate din secțiuni cu diametru egal.
(6) Creșterea cozii: După creșterea părții cu diametru egal, dacă lingoul este separat imediat de suprafața lichidului, stresul termic va provoca dislocări și linii de alunecare în lingou. Prin urmare, pentru a evita această problemă, diametrul lingoului trebuie redus treptat până când acesta devine un vârf ascuțit și se separă de suprafața lichidului. Acest proces se numește creșterea cozii. Lingoul de cristal crescut este ridicat în camera superioară a cuptorului pentru a se răci pentru o perioadă de timp și apoi scos pentru a finaliza un ciclu de creștere.